Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
24 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
650 V
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
125 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
181 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Profundidad
4.82mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
15.87mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
46 nC a 10 V
Altura
20.82mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
País de Origen
China
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£ 2,329
Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)
30
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N
Maximum Continuous Drain Current
24 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
650 V
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
125 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
181 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Profundidad
4.82mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
15.87mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
46 nC a 10 V
Altura
20.82mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
País de Origen
China