Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
20 to 40mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
25 V
Maximum Drain Gate Voltage
-25V
Transistor Configuration
Fuente común
Configuration
Dual
Tipo de montaje
Montaje superficial
Tipo de Encapsulado
CPH
Conteo de Pines
6
Capacidad Drenador-Fuente
6pF
Capacidad Fuente-Puerta
2.3pF
Dimensiones del Cuerpo
2.9 x 1.6 x 0.9mm
Altura
0.9mm
Ancho
1.6mm
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Longitud:
2.9mm
País de Origen
China
Datos del producto
JFET de canal N, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
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€ 0,234
Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
3000
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Tensión Máxima Drenador-Fuente
25 V
Maximum Drain Gate Voltage
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Fuente común
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Dual
Tipo de montaje
Montaje superficial
Tipo de Encapsulado
CPH
Conteo de Pines
6
Capacidad Drenador-Fuente
6pF
Capacidad Fuente-Puerta
2.3pF
Dimensiones del Cuerpo
2.9 x 1.6 x 0.9mm
Altura
0.9mm
Ancho
1.6mm
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Longitud:
2.9mm
País de Origen
China
Datos del producto
JFET de canal N, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.