Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
0.6 to 1.5mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Maximum Drain Gate Voltage
-30V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
200 Ω
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Conteo de Pines
3
Dimensiones del Cuerpo
2.9 x 1.5 x 1.1mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
2.9mm
Altura
1.1mm
Profundidad
1.5mm
Datos del producto
JFET de canal N, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
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P.O.A.
100
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N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
0.6 to 1.5mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Maximum Drain Gate Voltage
-30V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
200 Ω
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Conteo de Pines
3
Dimensiones del Cuerpo
2.9 x 1.5 x 1.1mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
2.9mm
Altura
1.1mm
Profundidad
1.5mm
Datos del producto
JFET de canal N, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.