Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
16 to 32mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
15 V
Maximum Drain Gate Voltage
-15V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Tipo de montaje
Montaje superficial
Tipo de Encapsulado
CP
Conteo de Pines
3
Capacidad Drenador-Fuente
10pF
Capacidad Fuente-Puerta
2.9pF
Dimensiones del Cuerpo
2.9 x 1.5 x 1.1mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
2.9mm
Altura
1.1mm
Profundidad
1.5mm
Datos del producto
JFET de canal N, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Información de stock no disponible temporalmente.
Vuelva a verificar más tarde.
€ 7,25
€ 0,362 Each (In a Pack of 20) (Sin IVA)
Estándar
20
€ 7,25
€ 0,362 Each (In a Pack of 20) (Sin IVA)
Estándar
20
Comprar en grandes cantidades
Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
---|---|---|
20 - 180 | € 0,362 | € 7,25 |
200 - 480 | € 0,312 | € 6,24 |
500 - 980 | € 0,271 | € 5,43 |
1000 - 1980 | € 0,238 | € 4,76 |
2000+ | € 0,216 | € 4,33 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
16 to 32mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
15 V
Maximum Drain Gate Voltage
-15V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Tipo de montaje
Montaje superficial
Tipo de Encapsulado
CP
Conteo de Pines
3
Capacidad Drenador-Fuente
10pF
Capacidad Fuente-Puerta
2.9pF
Dimensiones del Cuerpo
2.9 x 1.5 x 1.1mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
2.9mm
Altura
1.1mm
Profundidad
1.5mm
Datos del producto
JFET de canal N, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.