Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ON SemiconductorTipo de Transistor
PNP
Tensión Máxima Colector-Emisor
-50 V
Tipo de Encapsulado
TO-236
Tipo de montaje
Montaje superficial
Disipación de Potencia Máxima
400 mW
Ganancia Mínima de Corriente DC
80
Transistor Configuration
Single
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Typical Resistor Ratio
0,47
Dimensiones del Cuerpo
3.04 x 1.4 x 1.01mm
Typical Input Resistor
22 kΩ
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
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Price on asking
50
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ON SemiconductorTipo de Transistor
PNP
Tensión Máxima Colector-Emisor
-50 V
Tipo de Encapsulado
TO-236
Tipo de montaje
Montaje superficial
Disipación de Potencia Máxima
400 mW
Ganancia Mínima de Corriente DC
80
Transistor Configuration
Single
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Typical Resistor Ratio
0,47
Dimensiones del Cuerpo
3.04 x 1.4 x 1.01mm
Typical Input Resistor
22 kΩ
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C