Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ON SemiconductorTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
150 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
12 V
Tipo de Encapsulado
CPH
Tipo de montaje
Surface Mount
Disipación de Potencia Máxima
800 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
20 V
Tensión Máxima Emisor-Base
2 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
7 GHz
Conteo de Pines
6
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Dimensiones del Cuerpo
2.9 x 1.6 x 0.9mm
País de Origen
China
Información de stock no disponible temporalmente.
Vuelva a verificar más tarde.
P.O.A.
3000
P.O.A.
3000
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ON SemiconductorTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
150 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
12 V
Tipo de Encapsulado
CPH
Tipo de montaje
Surface Mount
Disipación de Potencia Máxima
800 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
20 V
Tensión Máxima Emisor-Base
2 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
7 GHz
Conteo de Pines
6
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Dimensiones del Cuerpo
2.9 x 1.6 x 0.9mm
País de Origen
China