Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ON SemiconductorTipo de Transistor
PNP
Corriente Máxima Continua del Colector
-500 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
30 V
Tensión Máxima Emisor-Base
-10 V
Tipo de Encapsulado
TO-236
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Transistor Configuration
Single
Número de Elementos por Chip
2
Ganancia Mínima de Corriente DC
5000
Maximum Collector Base Voltage
-30 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
-1.5 V
Corriente de Corte Máxima del Colector
-100nA
Altura
1.01mm
Ancho
1.4mm
Disipación de Potencia Máxima
300 mW
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Dimensiones
3.04 x 1.4 x 1.01mm
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud:
3.04mm
País de Origen
China
Datos del producto
Transistores Darlington PNP, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
Información de stock no disponible temporalmente.
Vuelva a verificar más tarde.
P.O.A.
3000
P.O.A.
3000
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ON SemiconductorTipo de Transistor
PNP
Corriente Máxima Continua del Colector
-500 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
30 V
Tensión Máxima Emisor-Base
-10 V
Tipo de Encapsulado
TO-236
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Transistor Configuration
Single
Número de Elementos por Chip
2
Ganancia Mínima de Corriente DC
5000
Maximum Collector Base Voltage
-30 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
-1.5 V
Corriente de Corte Máxima del Colector
-100nA
Altura
1.01mm
Ancho
1.4mm
Disipación de Potencia Máxima
300 mW
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Dimensiones
3.04 x 1.4 x 1.01mm
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud:
3.04mm
País de Origen
China
Datos del producto
Transistores Darlington PNP, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.