Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ON SemiconductorTipo de Dirección
Bi-Directional
Configuración de diodo
Array
Tensión Residual Máxima
10V
Tipo de montaje
Montaje superficial
Tipo de Encapsulado
SC-74
Tensión de Corte Inversa Máxima
5.5V
Conteo de Pines
6
Disipación de Potencia de Pulso de Pico
0.22W
Corriente de Pulsos de Pico Máxima
1A
Protección ESD
Yes
Número de Elementos por Chip
4
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-40 ºC
Dimensiones
3.1 x 1.7 x 1mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+85 °C.
Altura
1mm
Profundidad
1.7mm
Corriente de Prueba
8mA
Corriente de Fugas Inversa Máxima
1µA
Estándar de automoción
AEC-Q101
Capacidad
1.2pF
Longitud:
3.1mm
País de Origen
China
Datos del producto
Low Capacitance ESD Protection Array
Transient Voltage Suppressors, ON Semiconductor
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P.O.A.
3000
P.O.A.
3000
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Especificaciones
Brand
ON SemiconductorTipo de Dirección
Bi-Directional
Configuración de diodo
Array
Tensión Residual Máxima
10V
Tipo de montaje
Montaje superficial
Tipo de Encapsulado
SC-74
Tensión de Corte Inversa Máxima
5.5V
Conteo de Pines
6
Disipación de Potencia de Pulso de Pico
0.22W
Corriente de Pulsos de Pico Máxima
1A
Protección ESD
Yes
Número de Elementos por Chip
4
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-40 ºC
Dimensiones
3.1 x 1.7 x 1mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+85 °C.
Altura
1mm
Profundidad
1.7mm
Corriente de Prueba
8mA
Corriente de Fugas Inversa Máxima
1µA
Estándar de automoción
AEC-Q101
Capacidad
1.2pF
Longitud:
3.1mm
País de Origen
China
Datos del producto