Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ON SemiconductorTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
100 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
45 V
Tipo de Encapsulado
TO-92
Tipo de Montaje
Through Hole
Disipación de Potencia Máxima
625 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
50 V
Tensión Máxima Emisor-Base
6 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
300 MHz
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Dimensiones del Cuerpo
5.33 x 5.2 x 4.19mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Información de stock no disponible temporalmente.
Vuelva a verificar más tarde.
P.O.A.
Empaque de Producción (Cinta)
100
P.O.A.
Empaque de Producción (Cinta)
100
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ON SemiconductorTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
100 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
45 V
Tipo de Encapsulado
TO-92
Tipo de Montaje
Through Hole
Disipación de Potencia Máxima
625 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
50 V
Tensión Máxima Emisor-Base
6 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
300 MHz
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Dimensiones del Cuerpo
5.33 x 5.2 x 4.19mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC