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JFET, PMBFJ308,215, N-Canal, 25 V, Único, SOT-23 (TO-236AB), 3-Pines Simple

Código de producto RS: 626-3308Marca: NXPNúmero de parte de fabricante: PMBFJ308,215
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

NXP

Tipo de Canal

N

Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss

12 to 60mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

25 V

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-25 V

Maximum Drain Gate Voltage

-25V

Transistor Configuration

Single

Configuration

Single

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

50 Ω

Tipo de montaje

Surface Mount

Tipo de Encapsulado

SOT-23 (TO-236AB)

Conteo de Pines

3

Dimensiones del Cuerpo

3 x 1.4 x 1mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-65 °C

Altura

1mm

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Largo

3mm

Ancho

1.4mm

País de Origen

China

Datos del producto

JFET de canal N, NXP

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

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JFET, PMBFJ308,215, N-Canal, 25 V, Único, SOT-23 (TO-236AB), 3-Pines Simple
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Tensión Máxima Puerta-Fuente

-25 V

Maximum Drain Gate Voltage

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Single

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Single

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

50 Ω

Tipo de montaje

Surface Mount

Tipo de Encapsulado

SOT-23 (TO-236AB)

Conteo de Pines

3

Dimensiones del Cuerpo

3 x 1.4 x 1mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-65 °C

Altura

1mm

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Largo

3mm

Ancho

1.4mm

País de Origen

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