MOSFET Nexperia BSS138BKW,115, VDSS 60 V, ID 320 mA, SOT-323 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NexperiaTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
320 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
SOT-323
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.6 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.6V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.48V
Disipación de Potencia Máxima
310 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
3mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0,6 nC a 4,5 V
Profundidad
1.4mm
Material del transistor
Si
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Altura
1mm
Datos del producto
MOSFET de canal N, 60 V a 80 V, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
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|---|---|---|
| 50 - 550 | € 0,265 | € 13,23 |
| 600 - 1450 | € 0,073 | € 3,64 |
| 1500+ | € 0,06 | € 2,98 |
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Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.6 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.6V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.48V
Disipación de Potencia Máxima
310 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
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1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
3mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
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Profundidad
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Si
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