Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NexperiaTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
300 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
55 V
Tipo de Encapsulado
SOT-323
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
4 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.3V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.4V
Disipación de Potencia Máxima
700 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Ancho
1.35mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud
2.2mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
1 nC a 8 V
Altura
1mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-65 °C
País de Origen
Hong Kong
Datos del producto
MOSFET de canal N, 40V a 55V
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
Información de stock no disponible temporalmente.
Vuelva a verificar más tarde.
P.O.A.
10000
P.O.A.
10000
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NexperiaTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
300 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
55 V
Tipo de Encapsulado
SOT-323
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
4 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.3V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.4V
Disipación de Potencia Máxima
700 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Ancho
1.35mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud
2.2mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
1 nC a 8 V
Altura
1mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-65 °C
País de Origen
Hong Kong
Datos del producto