Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NexperiaTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
500 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
45 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23 (TO-236AB)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Disipación de Potencia Máxima
250 mW
Ganancia Mínima de Corriente DC
100
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
50 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
100 MHz
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Dimensiones del Cuerpo
1 x 3 x 1.4mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
País de Origen
China
Datos del producto
Transistores Npn De Pequeña Señal
Bipolar Transistors, Nexperia
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Price on asking
Empaque de Producción (Rollo)
50
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NexperiaTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
500 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
45 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23 (TO-236AB)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Disipación de Potencia Máxima
250 mW
Ganancia Mínima de Corriente DC
100
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
50 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
100 MHz
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Dimensiones del Cuerpo
1 x 3 x 1.4mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
País de Origen
China
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