Diodo, BAV199,215, Nivel de fugas bajo, 160mA, 85V Conexión de silicio, 3μs, SOT-23 (TO-236AB), 3-Pines 1.25V
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NexperiaTipo de montaje
Montaje superficial
Tipo de Encapsulado
SOT-23 (TO-236AB)
Corriente Continua Máxima Directa
160mA
Tensión Repetitiva Inversa de Pico
85V
Configuración de diodo
Series
Tipo de Rectificador
Nivel de fugas bajo
Tipo de Diodo
Rectifier
Conteo de Pines
3
Caída de tensión directa máxima
1.25V
Número de Elementos por Chip
2
Tecnología de diodo
Silicon Junction
Tiempo de Recuperación Inverso de Pico
3µs
Peak Non-Repetitive Forward Surge Current
4A
País de Origen
China
Datos del producto
Diodos de conmutación de señal pequeña, Nexperia
Características
Compatible con diseños de circuitos de alta densidad personalizados
Tipos de bajo nivel de fuga y alta tensión disponibles
Velocidades de conmutación alta
Baja capacitancia
Diodes and Rectifiers
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|---|---|---|
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| 6000 - 12000 | € 0,042 | € 124,84 |
| 15000 - 27000 | € 0,039 | € 117,71 |
| 30000 - 57000 | € 0,038 | € 114,14 |
| 60000+ | € 0,037 | € 110,58 |
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