MOSFET IXYS IXFX66N85X, VDSS 850 V, ID 66 A, PLUS247 de 3 pines, config. Simple

Código de producto RS: 146-4245Marca: IXYSNúmero de parte de fabricante: IXFX66N85X
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

IXYS

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

66 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

850 V

Series

HiperFET

Tipo de Encapsulado

PLUS247

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

65 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

5.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

3.5V

Disipación de Potencia Máxima

1.25 kW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±30 V

Ancho

5.21mm

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

16.13mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

230 nC a 10 V

Altura

21.34mm

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.4V

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N

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Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

65 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

5.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

3.5V

Disipación de Potencia Máxima

1.25 kW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±30 V

Ancho

5.21mm

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

16.13mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

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