Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
IXYSTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
66 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
850 V
Series
HiperFET
Tipo de Encapsulado
PLUS247
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
65 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3.5V
Disipación de Potencia Máxima
1.25 kW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Ancho
5.21mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
16.13mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
230 nC a 10 V
Altura
21.34mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.4V
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Price on asking
30
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Especificaciones
Brand
IXYSTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
66 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
850 V
Series
HiperFET
Tipo de Encapsulado
PLUS247
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
65 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3.5V
Disipación de Potencia Máxima
1.25 kW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Ancho
5.21mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
16.13mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
230 nC a 10 V
Altura
21.34mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.4V