MOSFET IXYS IXFN80N50P, VDSS 500 V, ID 66 A, SOT-227 de 4 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
IXYSTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
66 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
500 V
Series
HiperFET, Polar
Tipo de Encapsulado
SOT-227
Tipo de montaje
Screw Mount
Conteo de Pines
4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
65 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Disipación de Potencia Máxima
700000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
38.2mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
195 nC a 10 V
Ancho
25.07mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Altura
9.6mm
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, IXYS HiperFET™ serie Polar™
MOSFET de potencia de canal N con diodo rápido intrínseco (HiPerFET™) de IXYS
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
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Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
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Si
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Longitud
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Ancho
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Temperatura Mínima de Operación
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