Transistor bipolar, SMBT2907AE6327HTSA1, PNP 600 mA 60 V SOT-23, 3 pines, 200 MHz, Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Número de Elementos por Chip
1
Tipo de Transistor
PNP
Conteo de Pines
3
Transistor Configuration
Single
Tipo de montaje
Montaje superficial
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Maximum Collector Base Voltage
60 V
Tensión Máxima Colector-Emisor
60 V
Corriente DC Máxima del Colector
600 mA
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
200 MHz
Tipo de Encapsulado
TO-236
Disipación de Potencia Máxima
330 mW
Brand
InfineonDimensiones
2.9 x 1.3 x 0.9mm
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P.O.A.
1000
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1
Tipo de Transistor
PNP
Conteo de Pines
3
Transistor Configuration
Single
Tipo de montaje
Montaje superficial
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Maximum Collector Base Voltage
60 V
Tensión Máxima Colector-Emisor
60 V
Corriente DC Máxima del Colector
600 mA
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
200 MHz
Tipo de Encapsulado
TO-236
Disipación de Potencia Máxima
330 mW
Brand
InfineonDimensiones
2.9 x 1.3 x 0.9mm