Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTamaño de la Memoria
8Mbit
Tipo de Interfaz
CFI, Paralelo
Tipo de Encapsulado
TSOP
Conteo de Pines
48
Organización
1M x 8 bits, 512 K x 16 bits
Tipo de montaje
Montaje superficial
Tipo de Célula
NI
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima
2.7 V
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
3.6 V
Organización de Bloques
Asimétrico
Longitud
12.1mm
Altura
1.05mm
Ancho
18.5mm
Dimensiones
18.5 x 12.1 x 1.05mm
Series
S29AL
Número de Palabras
1M, 512k
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-40 ºC
Número de Bits de Palabra
8 bit, 16 bit
Temperatura Máxima de Operación
+85 °C.
Estándar de automoción
AEC-Q100
Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo
70ns
Datos del producto
Memoria Flash NOR en paralelo, Cypress Semiconductor
Altas prestaciones
Acceso aleatorio rápido y ancho de banda alto
Flash Memory
FLASH Memory IC is a non-volatile RAM that has to be written/erased in blocks. It does have a limited life in terms of number of write cycles and tends to be used for program storage that is infrequently changed.
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€ 1,592
Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)
Estándar
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Organización
1M x 8 bits, 512 K x 16 bits
Tipo de montaje
Montaje superficial
Tipo de Célula
NI
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima
2.7 V
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
3.6 V
Organización de Bloques
Asimétrico
Longitud
12.1mm
Altura
1.05mm
Ancho
18.5mm
Dimensiones
18.5 x 12.1 x 1.05mm
Series
S29AL
Número de Palabras
1M, 512k
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-40 ºC
Número de Bits de Palabra
8 bit, 16 bit
Temperatura Máxima de Operación
+85 °C.
Estándar de automoción
AEC-Q100
Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo
70ns
Datos del producto
Memoria Flash NOR en paralelo, Cypress Semiconductor
Altas prestaciones
Acceso aleatorio rápido y ancho de banda alto
Flash Memory
FLASH Memory IC is a non-volatile RAM that has to be written/erased in blocks. It does have a limited life in terms of number of write cycles and tends to be used for program storage that is infrequently changed.