N-Channel MOSFET, 85 A, 150 V, 3-Pin TO-220AB Infineon IRFB4321PBF

Código de producto RS: 495-568Marca: InfineonNúmero de parte de fabricante: IRFB4321PBF
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

85 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

150 V

Series

HEXFET

Tipo de Encapsulado

TO-220AB

Tipo de Montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

15 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

5V

Tensión de umbral de puerta mínima

3V

Disipación de Potencia Máxima

350000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±30 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

71 nC a 10 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+175 °C

Longitud:

10.66mm

Profundidad

4.82mm

Material del transistor

Si

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

Altura

9.02mm

Datos del producto

MOSFET de rectificador síncrono ac-dc y control de motor, Infineon

MOSFET para control del motor

Infineon ofrece una cartera completa de dispositivos MOSFET de canal N y P resistentes para las aplicaciones de control de motor.

MOSFET de rectificador síncrono

Una cartera de dispositivos MOSFET de rectificación síncrona para fuentes de alimentación ac-dc admite la demanda de los clientes de una mayor densidad de potencia, menor tamaño, más portabilidad y sistemas más flexibles.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

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3

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15 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

5V

Tensión de umbral de puerta mínima

3V

Disipación de Potencia Máxima

350000 mW

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Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±30 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

71 nC a 10 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+175 °C

Longitud:

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Profundidad

4.82mm

Material del transistor

Si

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

Altura

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