MOSFET Infineon IRF540NPBF, VDSS 100 V, ID 33 A, TO-220AB de 3 pines, config. Simple

Código de producto RS: 914-8154Marca: InfineonNúmero de parte de fabricante: IRF540NPBF
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

33 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-100 V

Serie

HEXFET

Tipo de Encapsulado

TO-220AB

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

44 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

130000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Longitud:

10.54mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

71 nC a 10 V

Ancho

4.69mm

Material del transistor

Si

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Altura

8.77mm

País de Origen

China

Datos del producto

MOSFET de potencia de canal N de 100 V, Infineon

La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

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200 - 480€ 0,587€ 11,74
500 - 980€ 0,546€ 10,91
1000+€ 0,506€ 10,12

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TO-220AB

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

44 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

130000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

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Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Longitud:

10.54mm

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Ancho

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Material del transistor

Si

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Altura

8.77mm

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La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.

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