MOSFET Infineon IRF1010EPBF, VDSS 60 V, ID 84 A, TO-220AB de 3 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Modo de Canal
Mejora
Número de Elementos por Chip
1
Tipo de Canal
N
Material del transistor
Si
Conteo de Pines
3
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Transistor Configuration
Single
Tipo de montaje
Through Hole
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+175 °C
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Serie
HEXFET
Profundidad
4.69mm
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Longitud
10.54mm
Altura
8.77mm
Disipación de Potencia Máxima
200000 mW
Maximum Continuous Drain Current
84 A
Brand
InfineonResistencia Máxima Drenador-Fuente
12 mΩ
Carga Típica de Puerta @ Vgs
130 nC a 10 V
Datos del producto
Arrancador DOL de inversión
Range Info - Plastic/Metal Combination Housings
These motor starters are available in a selection of formats. All have removable steel base plates for rigidity when mounting to an uneven surface and ease of earthing and wiring and an impact resistant polycarbonate front cover which is adaptable to enable the fitting of other components without drilling. Switching category is AC3 and the enclosures are IP65 rated.
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| 10 - 49 | € 1,22 |
| 50 - 99 | € 1,15 |
| 100 - 249 | € 1,06 |
| 250+ | € 0,68 |
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N
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Si
Conteo de Pines
3
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Transistor Configuration
Single
Tipo de montaje
Through Hole
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+175 °C
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Serie
HEXFET
Profundidad
4.69mm
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Longitud
10.54mm
Altura
8.77mm
Disipación de Potencia Máxima
200000 mW
Maximum Continuous Drain Current
84 A
Brand
InfineonResistencia Máxima Drenador-Fuente
12 mΩ
Carga Típica de Puerta @ Vgs
130 nC a 10 V
Datos del producto
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