MOSFET Infineon IPZ65R045C7XKSA1, VDSS 700 V, ID 46 A, TO-247-4 de 4 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 145-9726Marca: InfineonNúmero de parte de fabricante: IPZ65R045C7XKSA1
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

46 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

700 V

Series

CoolMOS™ C7

Tipo de Encapsulado

TO-247-4

Tipo de Montaje

Through Hole

Conteo de Pines

4

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

45 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Disipación de Potencia Máxima

227 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±30 V

Profundidad

21.1mm

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Material del transistor

Si

Longitud

16.13mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

93 nC a 10 V

Altura

5.21mm

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

Tensión de diodo directa

0.9V

País de Origen

China

Datos del producto

MOSFET de potencia Infineon CoolMOS™C6/C7

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

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TO-247-4

Tipo de Montaje

Through Hole

Conteo de Pines

4

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

45 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Disipación de Potencia Máxima

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Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±30 V

Profundidad

21.1mm

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Material del transistor

Si

Longitud

16.13mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

93 nC a 10 V

Altura

5.21mm

Temperatura Mínima de Operación

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Tensión de diodo directa

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País de Origen

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