MOSFET Infineon IPB60R380C6ATMA1, VDSS 650 V, ID 10,6 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
10,6 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
650 V
Tipo de Encapsulado
D2PAK (TO-263)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
380 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
83000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Longitud:
10.31mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
32 nC a 10 V
Profundidad
9.45mm
Material del transistor
Si
Series
CoolMOS C6
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
4.57mm
Datos del producto
MOSFET de potencia Infineon CoolMOS™C6/C7
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
380 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
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Disipación de Potencia Máxima
83000 mW
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1
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Longitud:
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Carga Típica de Puerta @ Vgs
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Material del transistor
Si
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CoolMOS C6
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
4.57mm
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MOSFET de potencia Infineon CoolMOS™C6/C7
MOSFET Transistors, Infineon
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