MOSFET Infineon IPB60R099CPAATMA1, VDSS 600 V, ID 31 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
31,2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
600 V
Tipo de Encapsulado
D2PAK (TO-263)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
105 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
20V
Tensión de umbral de puerta mínima
20V
Disipación de Potencia Máxima
255000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
60 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Longitud:
10.31mm
Profundidad
9.45mm
Material del transistor
Si
Altura
4.57mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
–40 °C
Series
CoolMOS CP
Datos del producto
MOSFET de potencia Infineon CoolMOS™CP
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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D2PAK (TO-263)
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Montaje superficial
Conteo de Pines
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Resistencia Máxima Drenador-Fuente
105 m.Ω
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Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
20V
Tensión de umbral de puerta mínima
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255000 mW
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+150 ºC
Longitud:
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Material del transistor
Si
Altura
4.57mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
–40 °C
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MOSFET de potencia Infineon CoolMOS™CP
MOSFET Transistors, Infineon
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