MOSFET Infineon IPA65R150CFDXKSA1, VDSS 700 V, ID 22,4 A, TO-220FP de 3 pines, config. Simple

Código de producto RS: 897-7529PMarca: InfineonNúmero de parte de fabricante: IPA65R150CFDXKSA1
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

22,4 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

700 V

Tipo de Encapsulado

TO-220 FP

Tipo de Montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

150 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Disipación de Potencia Máxima

34,7 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±30 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud:

10.65mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

86 nC a 10 V

Ancho

4.85mm

Material del transistor

Si

Series

CoolMOS CFD

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tensión de diodo directa

0.9V

Altura

16.15mm

Datos del producto

Infineon CoolMOS™ CFD Power MOSFET

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

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N

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22,4 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

700 V

Tipo de Encapsulado

TO-220 FP

Tipo de Montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

150 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Disipación de Potencia Máxima

34,7 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±30 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud:

10.65mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

86 nC a 10 V

Ancho

4.85mm

Material del transistor

Si

Series

CoolMOS CFD

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tensión de diodo directa

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Altura

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