Documentos Técnicos
Especificaciones
Tipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
220 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
25 V
Tipo de Encapsulado
TO-236
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
4 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
0.7V
Disipación de Potencia Máxima
350 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
+8 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0,49 nC a 4,5 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Longitud
2.92mm
Ancho
1.3mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
0.93mm
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P.O.A.
1
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Especificaciones
Tipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
220 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
25 V
Tipo de Encapsulado
TO-236
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
4 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
0.7V
Disipación de Potencia Máxima
350 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
+8 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0,49 nC a 4,5 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Longitud
2.92mm
Ancho
1.3mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
0.93mm