Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
10.4 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
80 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
10.1 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
23 nC a 5 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
6.73mm
Profundidad
7.67mm
Material del transistor
Si
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Altura
2.39mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal P, 40 V a 90 V, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Información de stock no disponible temporalmente.
Vuelva a verificar más tarde.
€ 0,784
Each (In a Pack of 2) (Sin IVA)
Estándar
2
€ 0,784
Each (In a Pack of 2) (Sin IVA)
Estándar
2
Comprar en grandes cantidades
Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
---|---|---|
2 - 24 | € 0,784 | € 1,57 |
26+ | € 0,533 | € 1,06 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
10.4 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
80 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
10.1 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
23 nC a 5 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
6.73mm
Profundidad
7.67mm
Material del transistor
Si
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Altura
2.39mm
País de Origen
China
Datos del producto