Memoria SRAM Cypress Semiconductor, 256kbit, 32 K palabras x 8 bits, SNC N-28, VCC máx. 5,5 V
Documentos Técnicos
Especificaciones
Tamaño de la Memoria
256kbit
Organización
32K words x 8 bit
Número de Palabras
32K
Número de Bits de Palabra
8bit
Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo
70ns
Ancho del Bus de Direcciones
15bit
Baja Potencia
Yes
Tipo de Temporizador
Asynchronous
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SNC N
Conteo de Pines
28
Dimensiones
18.03 x 7.62 x 2.44mm
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
5.5 V
Altura
2.44mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+70 °C
Longitud
18.03mm
Profundidad
7.62mm
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima
4.5 V
Temperatura Mínima de Funcionamiento
0 ºC
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P.O.A.
1
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Tamaño de la Memoria
256kbit
Organización
32K words x 8 bit
Número de Palabras
32K
Número de Bits de Palabra
8bit
Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo
70ns
Ancho del Bus de Direcciones
15bit
Baja Potencia
Yes
Tipo de Temporizador
Asynchronous
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SNC N
Conteo de Pines
28
Dimensiones
18.03 x 7.62 x 2.44mm
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
5.5 V
Altura
2.44mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+70 °C
Longitud
18.03mm
Profundidad
7.62mm
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima
4.5 V
Temperatura Mínima de Funcionamiento
0 ºC