Memoria SRAM Infineon, 1Mbit, 128k x 8 bits, 1MHZ, STSOP-32, VCC máx. 3,6 V
Documentos Técnicos
Especificaciones
Tamaño de la Memoria
1Mbit
Organización
128K x 8 bits
Número de Palabras
128K
Número de Bits de Palabra
8bit
Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo
45ns
Ancho del Bus de Direcciones
8bit
Frecuencia de Reloj
1MHz
Baja Potencia
Yes
Tipo de montaje
Montaje superficial
Tipo de Encapsulado
STSOP
Conteo de Pines
32
Dimensiones
11.9 x 8.1 x 1.05mm
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
3.6 V
Altura
1.05mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+85 °C.
Longitud:
11.9mm
Ancho
8.1mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-40 ºC
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima
2.2 V
Datos del producto
Memoria SRAM de micropotencia (MoBL) asíncrona, Cypress Semiconductor
Los dispositivos de memoria SRAM de baja tensión MoBL disponen de alta eficiencia y ofrecen especificaciones de disipación de potencia (máxima) en espera líderes del sector.
SRAM (Static Random Access Memory)
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P.O.A.
Estándar
5
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5
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Tamaño de la Memoria
1Mbit
Organización
128K x 8 bits
Número de Palabras
128K
Número de Bits de Palabra
8bit
Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo
45ns
Ancho del Bus de Direcciones
8bit
Frecuencia de Reloj
1MHz
Baja Potencia
Yes
Tipo de montaje
Montaje superficial
Tipo de Encapsulado
STSOP
Conteo de Pines
32
Dimensiones
11.9 x 8.1 x 1.05mm
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
3.6 V
Altura
1.05mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+85 °C.
Longitud:
11.9mm
Ancho
8.1mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-40 ºC
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima
2.2 V
Datos del producto
Memoria SRAM de micropotencia (MoBL) asíncrona, Cypress Semiconductor
Los dispositivos de memoria SRAM de baja tensión MoBL disponen de alta eficiencia y ofrecen especificaciones de disipación de potencia (máxima) en espera líderes del sector.