MOSFET Wolfspeed CAS300M12BM2, VDSS 1.200 V, ID 404 A, Medio puente de 7 pines, 2elementos, config. Serie
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
WolfspeedTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
404 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
1200 V
Tipo de Encapsulado
Half Bridge
Tipo de montaje
Screw Mount
Conteo de Pines
7
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
9.8 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.3V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.8V
Disipación de Potencia Máxima
1.66 kW
Transistor Configuration
Series
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-10 V, +25 V
Ancho
61.4mm
Material del transistor
SiC
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud
106.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
1025 nC a 20 V, 1025 nC a 5 V
Número de Elementos por Chip
2
Tensión de diodo directa
2.5V
Altura
30mm
Datos del producto
Módulos MOSFET de alimentación de carburo de silicio Wolfspeed
Módulos MOSFET de alimentación de carburo de silicio de Wolfspeed, de la división de soluciones de alimentación de Cree Inc. Estos módulos MOSFET SiC se alojan en encapsulados estándares industriales y están disponibles en formato de medio puente (2 MOSFET) y trifásico (6 MOSFET); también incluyen diodos de recuperación inversa SiC. Entre las aplicaciones típicas se incluyen: calefacción por inducción, inversores eólicos y solares, convertidores DC-DC, PFC trifásico, unidades de regeneración de línea, SAI y SMPS, unidades de motor y cargadores de batería.
• La corriente de recuperación inversa del diodo y la corriente de cola de apagado MOSFET son de valor efectivo cero.
• Funcionamiento a alta frecuencia con pérdida ultrabaja
• Fácil conexión en paralelo gracias a las características SiC
• Funcionamiento redundante a fallos, normalmente apagado
• Placa base de cobre y aislador de nitruro de aluminio que reducen los requisitos térmicos
MOSFET Transistors, Wolfspeed
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Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.3V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.8V
Disipación de Potencia Máxima
1.66 kW
Transistor Configuration
Series
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-10 V, +25 V
Ancho
61.4mm
Material del transistor
SiC
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud
106.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
1025 nC a 20 V, 1025 nC a 5 V
Número de Elementos por Chip
2
Tensión de diodo directa
2.5V
Altura
30mm
Datos del producto
Módulos MOSFET de alimentación de carburo de silicio Wolfspeed
Módulos MOSFET de alimentación de carburo de silicio de Wolfspeed, de la división de soluciones de alimentación de Cree Inc. Estos módulos MOSFET SiC se alojan en encapsulados estándares industriales y están disponibles en formato de medio puente (2 MOSFET) y trifásico (6 MOSFET); también incluyen diodos de recuperación inversa SiC. Entre las aplicaciones típicas se incluyen: calefacción por inducción, inversores eólicos y solares, convertidores DC-DC, PFC trifásico, unidades de regeneración de línea, SAI y SMPS, unidades de motor y cargadores de batería.
• La corriente de recuperación inversa del diodo y la corriente de cola de apagado MOSFET son de valor efectivo cero.
• Funcionamiento a alta frecuencia con pérdida ultrabaja
• Fácil conexión en paralelo gracias a las características SiC
• Funcionamiento redundante a fallos, normalmente apagado
• Placa base de cobre y aislador de nitruro de aluminio que reducen los requisitos térmicos
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