MOSFET Wolfspeed CAS120M12BM2, VDSS 1.200 V, ID 193 A, Medio puente de 7 pines, 2elementos, config. Serie
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
WolfspeedTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
193 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
1200 V
Tipo de Encapsulado
Half Bridge
Tipo de montaje
Screw Mount
Conteo de Pines
7
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
30 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.6V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.8V
Disipación de Potencia Máxima
925 W
Configuración de transistor
Series
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-10 V, +25 V
Número de Elementos por Chip
2
Profundidad
61.4mm
Longitud
106.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
378 nC @ 20 V
Material del transistor
SiC
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Mínima Temperatura de Funcionamiento
–40 °C
Tensión de diodo directa
2.4V
Altura
30mm
País de Origen
China
Datos del producto
Módulos MOSFET de alimentación de carburo de silicio Wolfspeed
Módulos MOSFET de alimentación de carburo de silicio de Wolfspeed, de la división de soluciones de alimentación de Cree Inc. Estos módulos MOSFET SiC se alojan en encapsulados estándares industriales y están disponibles en formato de medio puente (2 MOSFET) y trifásico (6 MOSFET); también incluyen diodos de recuperación inversa SiC. Entre las aplicaciones típicas se incluyen: calefacción por inducción, inversores eólicos y solares, convertidores DC-DC, PFC trifásico, unidades de regeneración de línea, SAI y SMPS, unidades de motor y cargadores de batería.
• La corriente de recuperación inversa del diodo y la corriente de cola de apagado MOSFET son de valor efectivo cero.
• Funcionamiento a alta frecuencia con pérdida ultrabaja
• Fácil conexión en paralelo gracias a las características SiC
• Funcionamiento redundante a fallos, normalmente apagado
• Placa base de cobre y aislador de nitruro de aluminio que reducen los requisitos térmicos
MOSFET Transistors, Wolfspeed
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Resistencia Máxima Drenador-Fuente
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Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.6V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.8V
Disipación de Potencia Máxima
925 W
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Series
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-10 V, +25 V
Número de Elementos por Chip
2
Profundidad
61.4mm
Longitud
106.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
378 nC @ 20 V
Material del transistor
SiC
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Mínima Temperatura de Funcionamiento
–40 °C
Tensión de diodo directa
2.4V
Altura
30mm
País de Origen
China
Datos del producto
Módulos MOSFET de alimentación de carburo de silicio Wolfspeed
Módulos MOSFET de alimentación de carburo de silicio de Wolfspeed, de la división de soluciones de alimentación de Cree Inc. Estos módulos MOSFET SiC se alojan en encapsulados estándares industriales y están disponibles en formato de medio puente (2 MOSFET) y trifásico (6 MOSFET); también incluyen diodos de recuperación inversa SiC. Entre las aplicaciones típicas se incluyen: calefacción por inducción, inversores eólicos y solares, convertidores DC-DC, PFC trifásico, unidades de regeneración de línea, SAI y SMPS, unidades de motor y cargadores de batería.
• La corriente de recuperación inversa del diodo y la corriente de cola de apagado MOSFET son de valor efectivo cero.
• Funcionamiento a alta frecuencia con pérdida ultrabaja
• Fácil conexión en paralelo gracias a las características SiC
• Funcionamiento redundante a fallos, normalmente apagado
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