Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
WolfspeedTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
193 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
1200 V
Tipo de Encapsulado
Half Bridge
Tipo de montaje
Screw Mount
Conteo de Pines
7
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
30 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.6V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.8V
Disipación de Potencia Máxima
925 W
Transistor Configuration
Series
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-10 V, +25 V
Profundidad
61.4mm
Número de Elementos por Chip
2
Material del transistor
SiC
Longitud
106.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
378 nC @ 20 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
30mm
Temperatura Mínima de Operación
-40 ºC
Tensión de diodo directa
2.4V
País de Origen
China
Datos del producto
Módulos MOSFET de alimentación de carburo de silicio Wolfspeed
Módulos MOSFET de alimentación de carburo de silicio de Wolfspeed, de la división de soluciones de alimentación de Cree Inc. Estos módulos MOSFET SiC se alojan en encapsulados estándares industriales y están disponibles en formato de medio puente (2 MOSFET) y trifásico (6 MOSFET); también incluyen diodos de recuperación inversa SiC. Entre las aplicaciones típicas se incluyen: calefacción por inducción, inversores eólicos y solares, convertidores DC-DC, PFC trifásico, unidades de regeneración de línea, SAI y SMPS, unidades de motor y cargadores de batería.
La corriente de recuperación inversa del diodo y la corriente de cola de apagado MOSFET son de valor efectivo cero.
Funcionamiento a alta frecuencia con pérdida ultrabaja
Fácil conexión en paralelo gracias a las características SiC
Funcionamiento redundante a fallos, normalmente apagado
Placa base de cobre y aislador de nitruro de aluminio que reducen los requisitos térmicos
MOSFET Transistors, Wolfspeed
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€ 487,677
Each (In a Box of 10) (Sin IVA)
10
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193 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
1200 V
Tipo de Encapsulado
Half Bridge
Tipo de montaje
Screw Mount
Conteo de Pines
7
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
30 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.6V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.8V
Disipación de Potencia Máxima
925 W
Transistor Configuration
Series
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-10 V, +25 V
Profundidad
61.4mm
Número de Elementos por Chip
2
Material del transistor
SiC
Longitud
106.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
378 nC @ 20 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
30mm
Temperatura Mínima de Operación
-40 ºC
Tensión de diodo directa
2.4V
País de Origen
China
Datos del producto
Módulos MOSFET de alimentación de carburo de silicio Wolfspeed
Módulos MOSFET de alimentación de carburo de silicio de Wolfspeed, de la división de soluciones de alimentación de Cree Inc. Estos módulos MOSFET SiC se alojan en encapsulados estándares industriales y están disponibles en formato de medio puente (2 MOSFET) y trifásico (6 MOSFET); también incluyen diodos de recuperación inversa SiC. Entre las aplicaciones típicas se incluyen: calefacción por inducción, inversores eólicos y solares, convertidores DC-DC, PFC trifásico, unidades de regeneración de línea, SAI y SMPS, unidades de motor y cargadores de batería.
La corriente de recuperación inversa del diodo y la corriente de cola de apagado MOSFET son de valor efectivo cero.
Funcionamiento a alta frecuencia con pérdida ultrabaja
Fácil conexión en paralelo gracias a las características SiC
Funcionamiento redundante a fallos, normalmente apagado
Placa base de cobre y aislador de nitruro de aluminio que reducen los requisitos térmicos