Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
WolfspeedTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
36 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
900 V
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
78 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.1V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.8V
Disipación de Potencia Máxima
125000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-8 V, +18 V
Ancho
21.1mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Material del transistor
SiC
Longitud
16.13mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
30,4 nC a 15 V
Altura
5.21mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
4.8V
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de potencia de carburo de silicio Wolfspeed
MOSFET de potencia de carburo de silicio Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ y C3M™ Una gama de MOSFET de SiC de segunda generación de la división de potencia Wolfspeed de Cree que proporciona eficiencia de conmutación y densidad de potencia líder del sector. Estos dispositivos de baja capacitancia permiten mayores frecuencias de conmutación y tienen requisitos de refrigeración reducidos que mejoran la eficiencia de funcionamiento general del sistema
Modo de mejora de la tecnología SiC de canal N
Altas tensiones de ruptura de fuente de drenaje hasta 1.200 V
Es fácil conectar diversos dispositivos en paralelo y controlarlos
Conmutación de alta velocidad con baja resistencia de conexión
Funcionamiento con cierre resistente
MOSFET Transistors, Wolfspeed
Información de stock no disponible temporalmente.
Vuelva a verificar más tarde.
€ 15,043
Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)
30
€ 15,043
Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)
30
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
WolfspeedTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
36 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
900 V
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
78 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.1V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.8V
Disipación de Potencia Máxima
125000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-8 V, +18 V
Ancho
21.1mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Material del transistor
SiC
Longitud
16.13mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
30,4 nC a 15 V
Altura
5.21mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
4.8V
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de potencia de carburo de silicio Wolfspeed
MOSFET de potencia de carburo de silicio Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ y C3M™ Una gama de MOSFET de SiC de segunda generación de la división de potencia Wolfspeed de Cree que proporciona eficiencia de conmutación y densidad de potencia líder del sector. Estos dispositivos de baja capacitancia permiten mayores frecuencias de conmutación y tienen requisitos de refrigeración reducidos que mejoran la eficiencia de funcionamiento general del sistema
Modo de mejora de la tecnología SiC de canal N
Altas tensiones de ruptura de fuente de drenaje hasta 1.200 V
Es fácil conectar diversos dispositivos en paralelo y controlarlos
Conmutación de alta velocidad con baja resistencia de conexión
Funcionamiento con cierre resistente