Diodo, C3D1P7060Q, 7A, 600V Schottky SiC, QFN, 8-Pines 2.4V, Schottky SiC
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
WolfspeedTipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
QFN EP
Corriente Continua Máxima Directa
7A
Tensión Repetitiva Inversa de Pico
600V
Configuración de diodo
Single
Tipo de Diodo
SiC Schottky
Conteo de Pines
8
Caída de tensión directa máxima
2.4V
Número de Elementos por Chip
1
Tecnología de diodo
SiC Schottky
Peak Non-Repetitive Forward Surge Current
15A
País de Origen
Philippines
Datos del producto
Diodos Schottky de carburo de silicio Z-Rec™, Wolfspeed
Una gama de diodos Schottky SiC (carburo de silicio) de Wolfspeed que ofrece mejoras significativas con respecto a los diodos de barrera Schottky estándar. Los diodos SiC proporcionan una intensidad de campo de ruptura mucho mayor y mayor conductividad térmica junto con una reducción significativa de pérdida de potencia en frecuencias de conmutación altas. Los diodos SiC son la elección perfecta en aplicaciones de alta eficacia y alta tensión como fuentes de alimentación de modo conmutado e inversores de alta velocidad.
• Tensiones nominales de 600, 650, 1.200 y 1.700
• Corriente de recuperación inversa cero y tensión de recuperación directa
• Comportamiento de conmutación independiente de temperatura
• Tiempos de conmutación muy rápidos con pérdidas mínimas
• Tensión directa de coeficiente de temperatura positivo
• Los dispositivos se pueden conectar en paralelo sin desbordamiento térmico
• Reducción de los requisitos de disipación térmica
• Optimizado para aplicaciones de diodo de impulso PFC
Diodes and Rectifiers, Cree Wolfspeed
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SiC Schottky
Peak Non-Repetitive Forward Surge Current
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Diodos Schottky de carburo de silicio Z-Rec™, Wolfspeed
Una gama de diodos Schottky SiC (carburo de silicio) de Wolfspeed que ofrece mejoras significativas con respecto a los diodos de barrera Schottky estándar. Los diodos SiC proporcionan una intensidad de campo de ruptura mucho mayor y mayor conductividad térmica junto con una reducción significativa de pérdida de potencia en frecuencias de conmutación altas. Los diodos SiC son la elección perfecta en aplicaciones de alta eficacia y alta tensión como fuentes de alimentación de modo conmutado e inversores de alta velocidad.
• Tensiones nominales de 600, 650, 1.200 y 1.700
• Corriente de recuperación inversa cero y tensión de recuperación directa
• Comportamiento de conmutación independiente de temperatura
• Tiempos de conmutación muy rápidos con pérdidas mínimas
• Tensión directa de coeficiente de temperatura positivo
• Los dispositivos se pueden conectar en paralelo sin desbordamiento térmico
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