MOSFET Wolfspeed C2M1000170J, VDSS 1700 V, ID 5,3 A, D2PAK (TO-263) de 7 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 915-8833Marca: WolfspeedNúmero de parte de fabricante: C2M1000170J
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

5.3 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

1700 V

Tipo de Encapsulado

D2PAK (TO-263)

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

7

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

1.4 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

78 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-10 V, +25 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Longitud

10.23mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

13 nC a 20 V

Ancho

10.99mm

Material del transistor

SiC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tensión de diodo directa

3.8V

Altura

4.57mm

País de Origen

China

Datos del producto

MOSFET de potencia de carburo de silicio Wolfspeed

MOSFET de potencia de carburo de silicio Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ y C3M™ Una gama de MOSFET de SiC de segunda generación de la división de potencia Wolfspeed de Cree que proporciona eficiencia de conmutación y densidad de potencia líder del sector. Estos dispositivos de baja capacitancia permiten mayores frecuencias de conmutación y tienen requisitos de refrigeración reducidos que mejoran la eficiencia de funcionamiento general del sistema

• Modo de mejora de la tecnología SiC de canal N
• Altas tensiones de ruptura de fuente de drenaje hasta 1.200 V
• Es fácil conectar diversos dispositivos en paralelo y controlarlos
• Conmutación de alta velocidad con baja resistencia de conexión
• Funcionamiento con cierre resistente

MOSFET Transistors, Wolfspeed

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20 - 48€ 7,005€ 14,01
50 - 98€ 6,818€ 13,64
100+€ 6,625€ 13,25

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N

Maximum Continuous Drain Current

5.3 A

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1700 V

Tipo de Encapsulado

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Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

7

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

1.4 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

78 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-10 V, +25 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Longitud

10.23mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

13 nC a 20 V

Ancho

10.99mm

Material del transistor

SiC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tensión de diodo directa

3.8V

Altura

4.57mm

País de Origen

China

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MOSFET de potencia de carburo de silicio Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ y C3M™ Una gama de MOSFET de SiC de segunda generación de la división de potencia Wolfspeed de Cree que proporciona eficiencia de conmutación y densidad de potencia líder del sector. Estos dispositivos de baja capacitancia permiten mayores frecuencias de conmutación y tienen requisitos de refrigeración reducidos que mejoran la eficiencia de funcionamiento general del sistema

• Modo de mejora de la tecnología SiC de canal N
• Altas tensiones de ruptura de fuente de drenaje hasta 1.200 V
• Es fácil conectar diversos dispositivos en paralelo y controlarlos
• Conmutación de alta velocidad con baja resistencia de conexión
• Funcionamiento con cierre resistente

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