MOSFET Wolfspeed C2M1000170D, VDSS 1700 V, ID 5 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 904-7345Marca: WolfspeedNúmero de parte de fabricante: C2M1000170D
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Wolfspeed

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

5 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

1700 V

Tipo de Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

1.4 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

3.1V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.4V

Disipación de Potencia Máxima

69 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-5 V, +20 V

Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Largo

16.13mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

13 nC a 20 V, 13 nC a 5 V

Ancho

5.21mm

Material del transistor

SiC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tensión de diodo directa

3.8V

Altura

21.1mm

País de Origen

China

Datos del producto

MOSFET de potencia de carburo de silicio Wolfspeed

MOSFET de potencia de carburo de silicio Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ y C3M™ Una gama de MOSFET de SiC de segunda generación de la división de potencia Wolfspeed de Cree que proporciona eficiencia de conmutación y densidad de potencia líder del sector. Estos dispositivos de baja capacitancia permiten mayores frecuencias de conmutación y tienen requisitos de refrigeración reducidos que mejoran la eficiencia de funcionamiento general del sistema

• Modo de mejora de la tecnología SiC de canal N
• Altas tensiones de ruptura de fuente de drenaje hasta 1.200 V
• Es fácil conectar diversos dispositivos en paralelo y controlarlos
• Conmutación de alta velocidad con baja resistencia de conexión
• Funcionamiento con cierre resistente

MOSFET Transistors, Wolfspeed

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Disponible en múltiplos de 1.

Producción -

Disponible en múltiplos de 1.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

1

Disponible en múltiplos de 1
1€ 10,63
2€ 21,26
3€ 31,89
4€ 42,52
5€ 50,11
6€ 60,14
7€ 70,16
8€ 80,18
9€ 90,20
10€ 98,35
11€ 108,19
12€ 118,03
13€ 127,86
14€ 137,70
15€ 147,53

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Maximum Continuous Drain Current

5 A

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1700 V

Tipo de Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

1.4 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

3.1V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.4V

Disipación de Potencia Máxima

69 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-5 V, +20 V

Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Largo

16.13mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

13 nC a 20 V, 13 nC a 5 V

Ancho

5.21mm

Material del transistor

SiC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tensión de diodo directa

3.8V

Altura

21.1mm

País de Origen

China

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MOSFET de potencia de carburo de silicio Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ y C3M™ Una gama de MOSFET de SiC de segunda generación de la división de potencia Wolfspeed de Cree que proporciona eficiencia de conmutación y densidad de potencia líder del sector. Estos dispositivos de baja capacitancia permiten mayores frecuencias de conmutación y tienen requisitos de refrigeración reducidos que mejoran la eficiencia de funcionamiento general del sistema

• Modo de mejora de la tecnología SiC de canal N
• Altas tensiones de ruptura de fuente de drenaje hasta 1.200 V
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