MOSFET Wolfspeed C2M1000170D, VDSS 1700 V, ID 5 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
WolfspeedTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
1700 V
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.4 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.1V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.4V
Disipación de Potencia Máxima
69 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-5 V, +20 V
Profundidad
5.21mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
SiC
Longitud
16.13mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
13 nC a 20 V, 13 nC a 5 V
Altura
21.1mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
3.8V
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de potencia de carburo de silicio Wolfspeed
MOSFET de potencia de carburo de silicio Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ y C3M™ Una gama de MOSFET de SiC de segunda generación de la división de potencia Wolfspeed de Cree que proporciona eficiencia de conmutación y densidad de potencia líder del sector. Estos dispositivos de baja capacitancia permiten mayores frecuencias de conmutación y tienen requisitos de refrigeración reducidos que mejoran la eficiencia de funcionamiento general del sistema
• Modo de mejora de la tecnología SiC de canal N
• Altas tensiones de ruptura de fuente de drenaje hasta 1.200 V
• Es fácil conectar diversos dispositivos en paralelo y controlarlos
• Conmutación de alta velocidad con baja resistencia de conexión
• Funcionamiento con cierre resistente
MOSFET Transistors, Wolfspeed
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| 150 - 270 | € 8,041 | € 241,24 |
| 300+ | € 7,844 | € 235,32 |
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Tipo de montaje
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Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.4 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.1V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.4V
Disipación de Potencia Máxima
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SiC
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MOSFET de potencia de carburo de silicio Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ y C3M™ Una gama de MOSFET de SiC de segunda generación de la división de potencia Wolfspeed de Cree que proporciona eficiencia de conmutación y densidad de potencia líder del sector. Estos dispositivos de baja capacitancia permiten mayores frecuencias de conmutación y tienen requisitos de refrigeración reducidos que mejoran la eficiencia de funcionamiento general del sistema
• Modo de mejora de la tecnología SiC de canal N
• Altas tensiones de ruptura de fuente de drenaje hasta 1.200 V
• Es fácil conectar diversos dispositivos en paralelo y controlarlos
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