MOSFET Wolfspeed C2M0160120D, VDSS 1.200 V, ID 19 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
WolfspeedTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
19 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
1200 V
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
196 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.4V
Disipación de Potencia Máxima
125000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-5 V, +20 V
Profundidad
5.21mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
SiC
Longitud
16.13mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
34 nC a 20 V, 34 nC a 5 V
Altura
21.1mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
3.3V
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de potencia de carburo de silicio Wolfspeed
MOSFET de potencia de carburo de silicio Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ y C3M™ Una gama de MOSFET de SiC de segunda generación de la división de potencia Wolfspeed de Cree que proporciona eficiencia de conmutación y densidad de potencia líder del sector. Estos dispositivos de baja capacitancia permiten mayores frecuencias de conmutación y tienen requisitos de refrigeración reducidos que mejoran la eficiencia de funcionamiento general del sistema
• Modo de mejora de la tecnología SiC de canal N
• Altas tensiones de ruptura de fuente de drenaje hasta 1.200 V
• Es fácil conectar diversos dispositivos en paralelo y controlarlos
• Conmutación de alta velocidad con baja resistencia de conexión
• Funcionamiento con cierre resistente
MOSFET Transistors, Wolfspeed
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Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
196 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.4V
Disipación de Potencia Máxima
125000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-5 V, +20 V
Profundidad
5.21mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
SiC
Longitud
16.13mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
34 nC a 20 V, 34 nC a 5 V
Altura
21.1mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
3.3V
País de Origen
China
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MOSFET de potencia de carburo de silicio Wolfspeed
MOSFET de potencia de carburo de silicio Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ y C3M™ Una gama de MOSFET de SiC de segunda generación de la división de potencia Wolfspeed de Cree que proporciona eficiencia de conmutación y densidad de potencia líder del sector. Estos dispositivos de baja capacitancia permiten mayores frecuencias de conmutación y tienen requisitos de refrigeración reducidos que mejoran la eficiencia de funcionamiento general del sistema
• Modo de mejora de la tecnología SiC de canal N
• Altas tensiones de ruptura de fuente de drenaje hasta 1.200 V
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