Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
WolfspeedTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
31,2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
1200 V
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
208 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.2V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.7V
Disipación de Potencia Máxima
208000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-10 V, +25 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
16.13mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
49,2 nC a 20 V
Profundidad
5.21mm
Material del transistor
SiC
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Altura
21.1mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de potencia de carburo de silicio Wolfspeed
MOSFET de potencia de carburo de silicio Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ y C3M™ Una gama de MOSFET de SiC de segunda generación de la división de potencia Wolfspeed de Cree que proporciona eficiencia de conmutación y densidad de potencia líder del sector. Estos dispositivos de baja capacitancia permiten mayores frecuencias de conmutación y tienen requisitos de refrigeración reducidos que mejoran la eficiencia de funcionamiento general del sistema
Modo de mejora de la tecnología SiC de canal N
Altas tensiones de ruptura de fuente de drenaje hasta 1.200 V
Es fácil conectar diversos dispositivos en paralelo y controlarlos
Conmutación de alta velocidad con baja resistencia de conexión
Funcionamiento con cierre resistente
MOSFET Transistors, Wolfspeed
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WolfspeedTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
31,2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
1200 V
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
208 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.2V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.7V
Disipación de Potencia Máxima
208000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-10 V, +25 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
16.13mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
49,2 nC a 20 V
Profundidad
5.21mm
Material del transistor
SiC
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Altura
21.1mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de potencia de carburo de silicio Wolfspeed
MOSFET de potencia de carburo de silicio Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ y C3M™ Una gama de MOSFET de SiC de segunda generación de la división de potencia Wolfspeed de Cree que proporciona eficiencia de conmutación y densidad de potencia líder del sector. Estos dispositivos de baja capacitancia permiten mayores frecuencias de conmutación y tienen requisitos de refrigeración reducidos que mejoran la eficiencia de funcionamiento general del sistema
Modo de mejora de la tecnología SiC de canal N
Altas tensiones de ruptura de fuente de drenaje hasta 1.200 V
Es fácil conectar diversos dispositivos en paralelo y controlarlos
Conmutación de alta velocidad con baja resistencia de conexión
Funcionamiento con cierre resistente