Transistor, PHE13009,127, NPN 12 A 700 V TO-220AB, 3 pines, 60 Hz, Simple
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Documentos Técnicos
Especificaciones
Tipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
12 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
700 V
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de montaje
Through Hole
Disipación de Potencia Máxima
80000 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
700 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
60 Hz
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Dimensiones del Cuerpo
10.3 x 4.5 x 15.8mm
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
2 V
Datos del producto
Transistores De Alta Tensión, Ween Semiconductors
Bipolar Transistors, WeEn Semiconductors
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Price on asking
Empaque de Producción (Tubo)
5
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NPN
Corriente DC Máxima del Colector
12 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
700 V
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de montaje
Through Hole
Disipación de Potencia Máxima
80000 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
700 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
60 Hz
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Dimensiones del Cuerpo
10.3 x 4.5 x 15.8mm
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
2 V
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