Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayConfiguración de diodo
Matriz compleja
Tipo de Dirección
Bi-Directional
Tensión Residual Máxima
15V
Tensión Mínima de Ruptura
6.3V
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
LLP75
Tensión de Corte Inversa Máxima
5V
Conteo de Pines
6
Disipación de Potencia de Pulso de Pico
200W
Corriente de Pulsos de Pico Máxima
10A
Protección ESD
Yes
Número de Elementos por Chip
4
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-45 °C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
125 °C
Dimensiones del Cuerpo
1.65 x 1.65 x 0.6mm
Corriente de Fugas Inversa Máxima
100nA
Longitud
1.65mm
Altura
0.6mm
Profundidad
1.65mm
Corriente de Prueba
1mA
País de Origen
China
Datos del producto
Protectores de ESD, Vishay Semiconductor
Protección contra descargas electrostáticas (ESD) conforme a los estándares IEC 61000
Transient Voltage Suppressors, Vishay Semiconductor
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P.O.A.
50
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50
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VishayConfiguración de diodo
Matriz compleja
Tipo de Dirección
Bi-Directional
Tensión Residual Máxima
15V
Tensión Mínima de Ruptura
6.3V
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
LLP75
Tensión de Corte Inversa Máxima
5V
Conteo de Pines
6
Disipación de Potencia de Pulso de Pico
200W
Corriente de Pulsos de Pico Máxima
10A
Protección ESD
Yes
Número de Elementos por Chip
4
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-45 °C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
125 °C
Dimensiones del Cuerpo
1.65 x 1.65 x 0.6mm
Corriente de Fugas Inversa Máxima
100nA
Longitud
1.65mm
Altura
0.6mm
Profundidad
1.65mm
Corriente de Prueba
1mA
País de Origen
China
Datos del producto
Protectores de ESD, Vishay Semiconductor
Protección contra descargas electrostáticas (ESD) conforme a los estándares IEC 61000