Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Dirección
Bi-Directional
Configuración de diodo
Ánodo común
Tensión Residual Máxima
16V
Tensión Mínima de Ruptura
6.9V
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
LLP75
Tensión de Corte Inversa Máxima
5V
Conteo de Pines
4
Disipación de Potencia de Pulso de Pico
45W
Corriente de Pulsos de Pico Máxima
3A
Protección ESD
Yes
Número de Elementos por Chip
2
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-45 °C
Temperatura de Funcionamiento Máxima
125 °C
Dimensiones del Cuerpo
1.65 x 1.65 x 0.6mm
Corriente de Fugas Inversa Máxima
100nA
Largo
1.65mm
Altura
0.6mm
Profundidad
1.65mm
Corriente de Prueba
1mA
País de Origen
China
Datos del producto
Protectores de ESD, Vishay Semiconductor
Protección contra descargas electrostáticas (ESD) conforme a los estándares IEC 61000
Transient Voltage Suppressors, Vishay Semiconductor
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P.O.A.
50
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VishayTipo de Dirección
Bi-Directional
Configuración de diodo
Ánodo común
Tensión Residual Máxima
16V
Tensión Mínima de Ruptura
6.9V
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
LLP75
Tensión de Corte Inversa Máxima
5V
Conteo de Pines
4
Disipación de Potencia de Pulso de Pico
45W
Corriente de Pulsos de Pico Máxima
3A
Protección ESD
Yes
Número de Elementos por Chip
2
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-45 °C
Temperatura de Funcionamiento Máxima
125 °C
Dimensiones del Cuerpo
1.65 x 1.65 x 0.6mm
Corriente de Fugas Inversa Máxima
100nA
Largo
1.65mm
Altura
0.6mm
Profundidad
1.65mm
Corriente de Prueba
1mA
País de Origen
China
Datos del producto
Protectores de ESD, Vishay Semiconductor
Protección contra descargas electrostáticas (ESD) conforme a los estándares IEC 61000