Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
120 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2,8 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
375000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
4.65mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Carga Típica de Puerta @ Vgs
126 nC a 10 V
Longitud
10.51mm
Altura
15.49mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.5V
Datos del producto
MOSFET de canal N, TrenchFET hasta Gen III, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 2,912
Each (In a Pack of 2) (Sin IVA)
2
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2
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
---|---|---|
2 - 18 | € 2,912 | € 5,82 |
20 - 98 | € 2,737 | € 5,47 |
100 - 198 | € 2,473 | € 4,95 |
200 - 498 | € 2,327 | € 4,66 |
500+ | € 2,187 | € 4,37 |
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Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
120 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2,8 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
375000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
4.65mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Carga Típica de Puerta @ Vgs
126 nC a 10 V
Longitud
10.51mm
Altura
15.49mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.5V
Datos del producto