MOSFET Vishay SUM70040E-GE3, VDSS 100 V, ID 120 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
120 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Tipo de Encapsulado
D2PAK (TO-263)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
4.6 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
375000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Longitud
9.65mm
Profundidad
10.41mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Material del transistor
Si
Carga Típica de Puerta @ Vgs
76 nC @ 10 V
Altura
4.82mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.5V
País de Origen
Taiwan, Province Of China
Datos del producto
MOSFET de canal N, de 100 V a 150 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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| 50 - 120 | € 2,244 | € 11,22 |
| 125 - 245 | € 2,034 | € 10,17 |
| 250 - 495 | € 1,819 | € 9,10 |
| 500+ | € 1,67 | € 8,35 |
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Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Tipo de Encapsulado
D2PAK (TO-263)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
4.6 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
375000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Longitud
9.65mm
Profundidad
10.41mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Material del transistor
Si
Carga Típica de Puerta @ Vgs
76 nC @ 10 V
Altura
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Temperatura de Funcionamiento Mínima
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Tensión de diodo directa
1.5V
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