MOSFET Vishay SUM50020E-GE3, VDSS 60 V, ID 120 A, D2PAK (TO-263) de 8 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
120 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
D2PAK (TO-263)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2,6 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
375000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
9.65mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Longitud:
10.41mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
126 nC a 10 V
Altura
4.82mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.5V
Datos del producto
MOSFET de canal N, TrenchFET hasta Gen III, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2,6 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
375000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
9.65mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Longitud:
10.41mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
126 nC a 10 V
Altura
4.82mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
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