Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
-40 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Series
SQ Rugged
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
29 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1.5V
Disipación de Potencia Máxima
75 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
6.22mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
6.73mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
34 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Operación
+175 °C
Altura
2.38mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Estándar de automoción
AEC-Q101
Datos del producto
MOSFET de canal N, serie SQ resistente para automoción, Vishay Semiconductor
La serie SQ de MOSFET de Vishay Semiconductor está diseñada para todas las aplicaciones de automoción que requieren resistencia y alta fiabilidad.
Ventajas de los MOSFET serie SQ resistentes
Certificación AEC-Q101
Temperatura de unión hasta +175 °C
Tecnologías TrenchFET® de canal n y p de baja resistencia
Opciones de encapsulado innovadoras de ahorro de espacio
Approvals
AEC-Q101
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 9,57
€ 1,913 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
Estándar
5
€ 9,57
€ 1,913 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
Estándar
5
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
---|---|---|
5 - 45 | € 1,913 | € 9,57 |
50 - 120 | € 1,723 | € 8,62 |
125 - 245 | € 1,626 | € 8,13 |
250 - 495 | € 1,531 | € 7,65 |
500+ | € 1,436 | € 7,18 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
-40 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Series
SQ Rugged
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
29 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1.5V
Disipación de Potencia Máxima
75 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
6.22mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
6.73mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
34 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Operación
+175 °C
Altura
2.38mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Estándar de automoción
AEC-Q101
Datos del producto
MOSFET de canal N, serie SQ resistente para automoción, Vishay Semiconductor
La serie SQ de MOSFET de Vishay Semiconductor está diseñada para todas las aplicaciones de automoción que requieren resistencia y alta fiabilidad.
Ventajas de los MOSFET serie SQ resistentes
Certificación AEC-Q101
Temperatura de unión hasta +175 °C
Tecnologías TrenchFET® de canal n y p de baja resistencia
Opciones de encapsulado innovadoras de ahorro de espacio
Approvals
AEC-Q101