N-Channel MOSFET, 5.4 A, 60 V, 8-Pin SO Vishay SQ9945BEY-T1_GE3

Código de producto RS: 146-4446Marca: VishayNúmero de parte de fabricante: SQ9945BEY-T1_GE3
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

5.4 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-60 V

Tipo de Encapsulado

SOIC

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

137 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

1.5V

Disipación de Potencia Máxima

4000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

20 V

Ancho

4mm

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura máxima de funcionamiento

+175 °C

Longitud

5mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

8 nC a 10 V

Altura

1.55mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.1V

Estándar de automoción

AEC-Q101

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N-Channel MOSFET, 5.4 A, 60 V, 8-Pin SO Vishay SQ9945BEY-T1_GE3

2500

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2500P.O.A.
5000P.O.A.
7500P.O.A.
10000P.O.A.
12500P.O.A.
15000P.O.A.
17500P.O.A.
20000P.O.A.
22500P.O.A.
25000P.O.A.
27500P.O.A.
30000P.O.A.
32500P.O.A.
35000P.O.A.
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Vishay

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

5.4 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-60 V

Tipo de Encapsulado

SOIC

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

137 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

1.5V

Disipación de Potencia Máxima

4000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

20 V

Ancho

4mm

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura máxima de funcionamiento

+175 °C

Longitud

5mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

8 nC a 10 V

Altura

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