P-Channel MOSFET, 2.8 A, 60 V, 3-Pin SOT-23 Vishay SQ2361ES-T1_GE3

Código de producto RS: 152-6376Marca: VishayNúmero de parte de fabricante: SQ2361ES-T1_GE3
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay

Tipo de Canal

P

Maximum Continuous Drain Current

2.8 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-60 V

Tipo de Encapsulado

SOT-23-5

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

320 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

-2.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

-1.5V

Disipación de Potencia Máxima

2000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

20 V

Profundidad

1.4mm

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura máxima de funcionamiento

+175 °C

Largo

3.04mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

9 nC a 10 V

Altura

1.02mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Tensión de diodo directa

-1.2V

Estándar de automoción

AEC-Q101

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Each (In a Pack of 25) (Sin IVA)

P-Channel MOSFET, 2.8 A, 60 V, 3-Pin SOT-23 Vishay SQ2361ES-T1_GE3
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Disponible en múltiplos de 25.

Producción -

Disponible en múltiplos de 25.

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25

Disponible en múltiplos de 25
25€ 4,30
50€ 8,60
75€ 12,89
100€ 17,19
125€ 21,49
150€ 25,79
175€ 30,09
200€ 34,38
225€ 38,68
250€ 42,98
275€ 47,28
300€ 51,57
325€ 55,87
350€ 60,17
375€ 64,47

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3

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320 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

-2.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

-1.5V

Disipación de Potencia Máxima

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Transistor Configuration

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Profundidad

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