P-Channel MOSFET, 3 A, 12 V, 3-Pin SOT-23 Vishay SQ2315ES-T1_GE3
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
3 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
12 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
92 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
0.45V
Disipación de Potencia Máxima
2000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Ancho
1.4mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Longitud
3.04mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
8,4 nC a 4,5 V
Serie
SQ Rugged
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Altura
1.02mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal P, serie SQ resistente, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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| 500 - 980 | € 0,332 | € 6,64 |
| 1000 - 1980 | € 0,256 | € 5,12 |
| 2000+ | € 0,205 | € 4,09 |
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VishayTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
3 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
12 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
92 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
0.45V
Disipación de Potencia Máxima
2000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Ancho
1.4mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Longitud
3.04mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
8,4 nC a 4,5 V
Serie
SQ Rugged
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Altura
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