Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Dirección
Bi-Directional
Configuración de diodo
Single
Tensión Residual Máxima
69.4V
Tensión Mínima de Ruptura
47.8V
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
DO-214AA (SMB)
Tensión de Corte Inversa Máxima
43V
Conteo de Pines
2
Disipación de Potencia de Pulso de Pico
600W
Corriente de Pulsos de Pico Máxima
8.6A
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Dimensiones del Cuerpo
4.57 x 3.94 x 2.24mm
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud
4.57mm
Ancho
3.94mm
Corriente de Fugas Inversa Máxima
1µA
Altura
2.24mm
Corriente de Prueba
1mA
Datos del producto
Supresores de sobretensión transitoria bidireccionales de montaje superficial TRANSZORB® de 600 W, Vishay Semiconductor
Encapsulado DO-214AA (SMBJ) de perfil bajo
Excelente capacidad de fijación
Tiempo de respuesta muy rápido
Baja resistencia con transitorios incremental
Transient Voltage Suppressors, Vishay Semiconductor
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P.O.A.
20
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Especificaciones
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VishayTipo de Dirección
Bi-Directional
Configuración de diodo
Single
Tensión Residual Máxima
69.4V
Tensión Mínima de Ruptura
47.8V
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
DO-214AA (SMB)
Tensión de Corte Inversa Máxima
43V
Conteo de Pines
2
Disipación de Potencia de Pulso de Pico
600W
Corriente de Pulsos de Pico Máxima
8.6A
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Dimensiones del Cuerpo
4.57 x 3.94 x 2.24mm
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud
4.57mm
Ancho
3.94mm
Corriente de Fugas Inversa Máxima
1µA
Altura
2.24mm
Corriente de Prueba
1mA
Datos del producto
Supresores de sobretensión transitoria bidireccionales de montaje superficial TRANSZORB® de 600 W, Vishay Semiconductor
Encapsulado DO-214AA (SMBJ) de perfil bajo
Excelente capacidad de fijación
Tiempo de respuesta muy rápido
Baja resistencia con transitorios incremental